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KBJ2510G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-KBJ2510G
Fabricante Modelo do Produto:KBJ2510G
Fabricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Descrição breve:DIODE BRIDGE 1000V 25A KBJ
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:KBJ2506G~2510GKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg
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Parâmetro do produto

Tensão - Pico Reversa (Max) 1000V
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.05V @ 12.5A
Tecnologia Standard
Embalagem do dispositivo fornecedor KBJ
Série -
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete 4-SIP, KBJ
Outros nomes KBJ2510GGN
Temperatura de operação -55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 4 Weeks
Número de peça do fabricante KBJ2510G
Descrição expandida Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole KBJ
Tipo Diode Single Phase
Descrição DIODE BRIDGE 1000V 25A KBJ
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 1000V
Atual - rectificada média (Io) 25A

Outras

Pacote padrão 300
Outros nomes KBJ2510GGN

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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor

- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.

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