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KBU8D
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-KBU8D |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | KBU8D |
| Fabricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
| Descrição breve: | DIODE BRIDGE 200V 8A KBU |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | 1 |
| Download da Ficha Técnica: | KBU8A~8GKBU8J~8MBR-3,6,8,10; KBPC-W;KBU Pkg Dwg |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
KBU8D
Em estoque: 22199000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - Pico Reversa (Max) | 200V |
|---|---|
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1V @ 8A |
| Tecnologia | Standard |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | KBU |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | 4-SIP, KBU |
| Outros nomes | KBU8DGN |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante | KBU8D |
| Descrição expandida | Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole KBU |
| Tipo Diode | Single Phase |
| Descrição | DIODE BRIDGE 200V 8A KBU |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 10µA @ 200V |
| Atual - rectificada média (Io) | 8A |
Outras
| Pacote padrão | 300 |
|---|---|
| Outros nomes | KBU8DGN |
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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor
- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.