EXSHINE Modelo do Produto: | EX-MBR2X080A200 |
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Fabricante Modelo do Produto: | MBR2X080A200 |
Fabricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
Descrição breve: | DIODE SCHOTTKY 200V 80A SOT227 |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | MBR2X080A200 |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 920mV @ 80A |
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Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 200V |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-227 |
Velocidade | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Série | - |
Embalagem | Bulk |
Caixa / Gabinete | SOT-227-4, miniBLOC |
Temperatura de Operação - Junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 4 Weeks |
Número de peça do fabricante | MBR2X080A200 |
Descrição expandida | Diode Array 2 Independent Schottky 200V 80A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
Tipo Diode | Schottky |
configuração de diodo | 2 Independent |
Descrição | DIODE SCHOTTKY 200V 80A SOT227 |
Atual - dispersão reversa @ Vr | 3mA @ 200V |
Atual - rectificada média (Io) (por Diode) | 80A |
Pacote padrão | 10 |
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- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.