EXSHINE Modelo do Produto: | EX-HTNFET-D |
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Fabricante Modelo do Produto: | HTNFET-D |
Fabricante / Marca: | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
Descrição breve: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Contém chumbo / RoHS não compatível |
Condição: | 1 |
Download da Ficha Técnica: | HTNFET Datasheet |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-CDIP-EP |
Série | HTMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
Dissipação de energia (Max) | 50W (Tj) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | 8-CDIP Exposed Pad |
Outros nomes | 342-1078 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante | HTNFET-D |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Descrição expandida | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 55V |
Descrição | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - |
Outros nomes | 342-1078 |
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Pacote padrão | 1 |
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