1338C-31SRI

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1338C-31SRI

EXSHINE Modelo do Produto:EX-1338C-31SRI
Fabricante Modelo do Produto:1338C-31SRI
Fabricante / Marca:IDT (Integrated Device Technology)
Descrição breve:IC RTC CLK/CALENDAR I2C 16-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:Contém chumbo / RoHS não compatível
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IDT13381337-39 RTC Product Brief
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Parâmetro do produto

Voltage - Supply, Bateria 1.3 V ~ 3.7 V
Tensão - Fornecimento 3.3 V ~ 5.5 V
Digitar Clock/Calendar
Formato da hora HH:MM:SS (12/24 hr)
Embalagem do dispositivo fornecedor 16-SOIC
Série -
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Outros nomes IDT1338C-31SRI
IDT1338C-31SRI-ND
Temperatura de operação -40°C ~ 85°C
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 3 (168 Hours)
Tamanho da memória 56B
Número de peça do fabricante 1338C-31SRI
Interface I²C, 2-Wire Serial
Características Leap Year, NVSRAM, Square Wave Output
Descrição expandida Real Time Clock (RTC) IC Clock/Calendar 56B I²C, 2-Wire Serial 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Descrição IC RTC CLK/CALENDAR I2C 16-SOIC
Formato de data YY-MM-DD-dd
Corrente - Horário (Máx.) 5µA @ 3.63V ~ 5.5V

Outras

Pacote padrão 46
Outros nomes IDT1338C-31SRI

IDT1338C-31SRI-ND

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Distribuidor de IDT, Integrated Device Technology Inc

- A Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) é líder em tecnologia que projeta, desenvolve e comercializa circuitos integrados de alto desempenho para os seguintes principais mercados: (i) automotivo, (ii) comunicações, (iii) consumidor digital e ( iv) industrial e médico. Seus principais produtos são SRAM de alta velocidade e baixa potência e DRAM de baixa e média densidade. A empresa também projeta e comercializa produtos flash NOR e circuitos integrados de sinal analógico e misto de alto desempenho. Eles têm como alvo mercados de alto crescimento com nossos produtos semicondutores econômicos e de alta qualidade e buscam construir relacionamentos de longo prazo com nossos clientes. Eles têm sido um fornecedor de longo prazo comprometido com produtos de memória, incluindo produtos de menor densidade e menor volume, mesmo em períodos de grande capacidade de produção.

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