EXSHINE Modelo do Produto: | EX-72V281L10PFG8 |
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Fabricante Modelo do Produto: | 72V281L10PFG8 |
Fabricante / Marca: | IDT (Integrated Device Technology) |
Descrição breve: | IC FIFO 32768X18 10NS 64QFP |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | IDT72V281/291IDT Suffixes |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
Tensão - Fornecimento | 3 V ~ 3.6 V |
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Embalagem do dispositivo fornecedor | 64-TQFP (14x14) |
Série | 72V |
Capacidade de retransmissão | Yes |
Suporte Flags programáveis | Yes |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 64-LQFP |
Outros nomes | IDT72V281L10PFG8 IDT72V281L10PFG8-ND |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tamanho da memória | 576K (64K x 9) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 7 Weeks |
Número de peça do fabricante | 72V281L10PFG8 |
Função | Synchronous |
Suporte FWFT | Yes |
Tipo de expansão | Depth, Width |
Descrição | IC FIFO 32768X18 10NS 64QFP |
Taxa de dados | 100MHz |
Atual - Abastecimento (Max) | 55mA |
Bus direcional | Uni-Directional |
Tempo de acesso | 6.5ns |
Pacote padrão | 750 |
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Outros nomes | IDT72V281L10PFG8 IDT72V281L10PFG8-ND |
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- A Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) é líder em tecnologia que projeta, desenvolve e comercializa circuitos integrados de alto desempenho para os seguintes principais mercados: (i) automotivo, (ii) comunicações, (iii) consumidor digital e ( iv) industrial e médico. Seus principais produtos são SRAM de alta velocidade e baixa potência e DRAM de baixa e média densidade. A empresa também projeta e comercializa produtos flash NOR e circuitos integrados de sinal analógico e misto de alto desempenho. Eles têm como alvo mercados de alto crescimento com nossos produtos semicondutores econômicos e de alta qualidade e buscam construir relacionamentos de longo prazo com nossos clientes. Eles têm sido um fornecedor de longo prazo comprometido com produtos de memória, incluindo produtos de menor densidade e menor volume, mesmo em períodos de grande capacidade de produção.