IPI80N04S404AKSA1

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IPI80N04S404AKSA1

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IPI80N04S404AKSA1
Fabricante Modelo do Produto:IPI80N04S404AKSA1
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IPx80N04S4-04
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO262-3
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.6 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max) 71W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes IPI80N04S4-04
IPI80N04S4-04-ND
SP000646190
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 14 Weeks
Número de peça do fabricante IPI80N04S404AKSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 40V 80A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40V
Descrição MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

Outras

Pacote padrão 500
Outros nomes IPI80N04S4-04

IPI80N04S4-04-ND

SP000646190

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