EM6M2T2R

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EM6M2T2R

EXSHINE Modelo do Produto:EX-EM6M2T2R
Fabricante Modelo do Produto:EM6M2T2R
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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EM6M2T2R
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor EMT6
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1 Ohm @ 200mA, 4V
Power - Max 150mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Outros nomes EM6M2T2R-ND
EM6M2T2RTR
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante EM6M2T2R
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Descrição expandida Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 200mA

Outras

Pacote padrão 8,000
Outros nomes EM6M2T2R-ND

EM6M2T2RTR

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