EMA3T2R

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EMA3T2R

EXSHINE Modelo do Produto:EX-EMA3T2R
Fabricante Modelo do Produto:EMA3T2R
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:EMA3, UMA3N, FMA3A
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EMA3T2R
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Embalagem do dispositivo fornecedor EMT5
Série -
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) -
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Power - Max 150mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante EMA3T2R
Frequência - Transição 250MHz
Descrição expandida Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Descrição TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

Outras

Pacote padrão 8,000

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