EMD3T2R

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EMD3T2R

EXSHINE Modelo do Produto:EX-EMD3T2R
Fabricante Modelo do Produto:EMD3T2R
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:EMD3, UMD3N, IMD3A
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EMD3T2R
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor EMT6
Série -
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Outros nomes EMD3T2R-ND
EMD3T2RTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante EMD3T2R
Frequência - Transição 250MHz
Descrição expandida Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Descrição TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

Outras

Outros nomes EMD3T2R-ND

EMD3T2RTR
Pacote padrão 8,000

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