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IMB9AT110
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IMB9AT110 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | IMB9AT110 |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | EMB9, UMB9N, IMB9A |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
IMB9AT110
Em estoque: 48876000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | SMT6 |
| Série | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) | 47k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
| Power - Max | 300mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SC-74, SOT-457 |
| Outros nomes | IMB9AT110-ND IMB9AT110TR |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | IMB9AT110 |
| Frequência - Transição | 250MHz |
| Descrição expandida | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| Descrição | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Outras
| Pacote padrão | 3,000 |
|---|---|
| Outros nomes | IMB9AT110-ND IMB9AT110TR |
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Distribuidor de Rohm Semiconductor
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