IMH23T110

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IMH23T110

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IMH23T110
Fabricante Modelo do Produto:IMH23T110
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:IMH23
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IMH23T110
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 20V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SMT6
Série -
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) -
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Power - Max 300mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SC-74, SOT-457
Outros nomes IMH23T110-ND
IMH23T110TR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante IMH23T110
Frequência - Transição 150MHz
Descrição expandida Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Descrição TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) -
Atual - Collector (Ic) (Max) 600mA

Outras

Pacote padrão 3,000
Outros nomes IMH23T110-ND

IMH23T110TR

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