IMN11T110

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IMN11T110

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IMN11T110
Fabricante Modelo do Produto:IMN11T110
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:IMN11
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Parâmetro do produto

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.2V @ 100mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 80V
Embalagem do dispositivo fornecedor 6-SMD
Velocidade Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 4ns
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SC-74, SOT-457
Outros nomes IMN11T110-ND
IMN11T110TR
Temperatura de Operação - Junção 150°C (Max)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante IMN11T110
Descrição expandida Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457
Tipo Diode Standard
configuração de diodo 2 Pair Common Cathode
Descrição DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Atual - dispersão reversa @ Vr 100nA @ 70V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode) 100mA

Outras

Pacote padrão 3,000
Outros nomes IMN11T110-ND

IMN11T110TR

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