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IMT18T110
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IMT18T110 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | IMT18T110 |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | EMT18, UMT18N, IMT18 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
IMT18T110
Em estoque: 37833000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 12V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tipo transistor | 2 PNP (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | SMT6 |
| Série | - |
| Power - Max | 300mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SC-74, SOT-457 |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante | IMT18T110 |
| Frequência - Transição | 260MHz |
| Descrição expandida | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 12V 500mA 260MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| Descrição | TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Outras
| Pacote padrão | 3,000 |
|---|
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