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QS8M13TCR
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-QS8M13TCR |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | QS8M13TCR |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | QS8M13 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
QS8M13TCR
Em estoque: 32473000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TSMT8 |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Power - Max | 1.5W |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-SMD, Flat Lead |
| Outros nomes | QS8M13TCRTR |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante | QS8M13TCR |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Descrição expandida | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
| Descrição | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6A, 5A |
Outras
| Pacote padrão | 3,000 |
|---|---|
| Outros nomes | QS8M13TCRTR |
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