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R6020KNJTL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-R6020KNJTL
Fabricante Modelo do Produto:R6020KNJTL
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:NCH 600V 20A POWER MOSFET
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:R6020KNJ
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R6020KNJTL
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-263
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 196 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 231W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes R6020KNJTLTR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 17 Weeks
Número de peça do fabricante R6020KNJTL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 600V 20A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição NCH 600V 20A POWER MOSFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

Outras

Pacote padrão 1,000
Outros nomes R6020KNJTLTR

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