RF081L2STE25

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RF081L2STE25

EXSHINE Modelo do Produto:EX-RF081L2STE25
Fabricante Modelo do Produto:RF081L2STE25
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:RF081L2S
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RF081L2STE25
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Parâmetro do produto

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 980mV @ 1.1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 200V
Embalagem do dispositivo fornecedor PMDS
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 25ns
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete DO-214AC, SMA
Outros nomes RF081L2STE25TR
Temperatura de Operação - Junção 150°C (Max)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 20 Weeks
Número de peça do fabricante RF081L2STE25
Descrição expandida Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
Tipo Diode Standard
Descrição DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 200V
Atual - rectificada média (Io) 1A
Capacitância @ Vr, F -

Outras

Outros nomes RF081L2STE25TR
Pacote padrão 1,500

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