RFN10T2D

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RFN10T2D

EXSHINE Modelo do Produto:EX-RFN10T2D
Fabricante Modelo do Produto:RFN10T2D
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:RFN10T2D
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RFN10T2D
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2500+:
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5000+:
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Parâmetro do produto

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 980mV @ 5A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 200V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220FN
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 25ns
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack
Temperatura de Operação - Junção 150°C (Max)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante RFN10T2D
Descrição expandida Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack
Tipo Diode Standard
configuração de diodo 1 Pair Common Cathode
Descrição DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 200V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode) 5A

Outras

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