RGTH00TS65DGC11

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RGTH00TS65DGC11

EXSHINE Modelo do Produto:EX-RGTH00TS65DGC11
Fabricante Modelo do Produto:RGTH00TS65DGC11
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:RGTH00TS65D
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Condição de teste 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 39ns/143ns
Alternando Energia -
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247N
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 54ns
Power - Max 277W
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3
Temperatura de operação -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 15 Weeks
Número de peça do fabricante RGTH00TS65DGC11
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT Trench Field Stop
portão de carga 94nC
Descrição expandida IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
Descrição IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Atual - Collector Pulsada (ICM) 200A
Atual - Collector (Ic) (Max) 85A

Outras

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