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RP1L080SNTR
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-RP1L080SNTR |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | RP1L080SNTR |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 60V 8A MPT6 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | 1 |
| Download da Ficha Técnica: | RP1L080SN |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
RP1L080SNTR
Em estoque: 71501 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | MPT6 |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 24 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 2W (Ta) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 6-SMD, Flat Leads |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | RP1L080SNTR |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 60V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
| Descrição | MOSFET N-CH 60V 8A MPT6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Outras
| Pacote padrão | 1,000 |
|---|
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