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RU1E002SPTCL
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-RU1E002SPTCL |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | RU1E002SPTCL |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | 1 |
| Download da Ficha Técnica: | RU1E002SP |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
RU1E002SPTCL
Em estoque: 58966000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | UMT3F |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 200mW (Ta) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SC-85 |
| Outros nomes | RU1E002SPTCLTR |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante | RU1E002SPTCL |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | P-Channel 30V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3F |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
| Descrição | MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
Outras
| Outros nomes | RU1E002SPTCLTR |
|---|---|
| Pacote padrão | 3,000 |
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