EXSHINE Modelo do Produto: | EX-SCS210KGC |
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Fabricante Modelo do Produto: | SCS210KGC |
Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
Descrição breve: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | Schottky Barrier Diode Part No. ExplanationSCS210KGSiC Power Devices Catalog |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.6V @ 10A |
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Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220AC |
Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Série | - |
Inversa de tempo de recuperação (trr) | 0ns |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-2 |
Temperatura de Operação - Junção | 175°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 14 Weeks |
Número de peça do fabricante | SCS210KGC |
Descrição expandida | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Through Hole TO-220AC |
Tipo Diode | Silicon Carbide Schottky |
Descrição | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC |
Atual - dispersão reversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Atual - rectificada média (Io) | 10A (DC) |
Capacitância @ Vr, F | 550pF @ 1V, 1MHz |
Pacote padrão | 1,000 |
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