SCT3080KLGC11

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SCT3080KLGC11

EXSHINE Modelo do Produto:EX-SCT3080KLGC11
Fabricante Modelo do Produto:SCT3080KLGC11
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:SCT3080KL
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SCT3080KLGC11
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 5.6V @ 5mA
Vgs (Max) +22V, -4V
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-247N
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 104 mOhm @ 10A, 18V
Dissipação de energia (Max) 165W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 18 Weeks
Número de peça do fabricante SCT3080KLGC11
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 800V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 18V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 1200V (1.2kV) 31A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 18V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrição MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)

Outras

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