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UMB1NTN
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-UMB1NTN |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | UMB1NTN |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | UMA1N/B1N, FMA1A, IMB1A/5A |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
UMB1NTN
Em estoque: 58080000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | UMT6 |
| Série | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) | 22k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
| Power - Max | 150mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | UMB1NTN |
| Frequência - Transição | - |
| Descrição expandida | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount UMT6 |
| Descrição | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Outras
| Pacote padrão | 3,000 |
|---|
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Distribuidor de Rohm Semiconductor
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