UMB9NTN

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UMB9NTN

EXSHINE Modelo do Produto:EX-UMB9NTN
Fabricante Modelo do Produto:UMB9NTN
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:EMB9, UMB9N, IMB9A
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor UMT6
Série -
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) 47k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes UMB9NTN-ND
UMB9NTNTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante UMB9NTN
Frequência - Transição 250MHz
Descrição expandida Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Descrição TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

Outras

Pacote padrão 3,000
Outros nomes UMB9NTN-ND

UMB9NTNTR

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