UMF8NTR

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UMF8NTR

EXSHINE Modelo do Produto:EX-UMF8NTR
Fabricante Modelo do Produto:UMF8NTR
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:UMF8N
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V, 15V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Tipo transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor UMT6
Série -
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) 47k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante UMF8NTR
Frequência - Transição 250MHz
Descrição expandida Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 15V 100mA, 500mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Descrição TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA, 500mA

Outras

Pacote padrão 3,000

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