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US6J2TR
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-US6J2TR |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | US6J2TR |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | 1 |
| Download da Ficha Técnica: | US6J2 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
US6J2TR
Em estoque: 12870000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TUMT6 |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Power - Max | 1W |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 6-SMD, Flat Leads |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | US6J2TR |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Descrição expandida | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
| Descrição | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1A |
Outras
| Pacote padrão | 3,000 |
|---|
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Distribuidor de Rohm Semiconductor
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