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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > APT65GP60B2G
APT65GP60B2G

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APT65GP60B2G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APT65GP60B2G
Fabricante Modelo do Produto:APT65GP60B2G
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:IGBT 600V 100A 833W TMAX
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:APT65GP60B2
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Condição de teste 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 30ns/91ns
Alternando Energia 605µJ (on), 896µJ (off)
Série POWER MOS 7®
Power - Max 833W
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3 Variant
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante APT65GP60B2G
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT PT
portão de carga 210nC
Descrição expandida IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
Descrição IGBT 600V 100A 833W TMAX
Atual - Collector Pulsada (ICM) 250A
Atual - Collector (Ic) (Max) 100A

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Distribuidor de Microsemi Corporation

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