APT66M60B2

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APT66M60B2

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APT66M60B2
Fabricante Modelo do Produto:APT66M60B2
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:Power Products CatalogAPT66M60(B2,L)
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor T-MAX™ [B2]
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 100 mOhm @ 33A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1135W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-247-3 Variant
Outros nomes APT66M60B2MI
APT66M60B2MI-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 22 Weeks
Número de peça do fabricante APT66M60B2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13190pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)

Outras

Pacote padrão 30
Outros nomes APT66M60B2MI

APT66M60B2MI-ND

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