UNR411H00A

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UNR411H00A

EXSHINE Modelo do Produto:EX-UNR411H00A
Fabricante Modelo do Produto:UNR411H00A
Fabricante / Marca:Panasonic
Descrição breve:TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:UNR411x Series
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UNR411H00A
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor NS-B1
Série -
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Power - Max 300mW
Embalagem Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete NS-B1
Outros nomes UNR411H00ATB
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante UNR411H00A
Frequência - Transição 80MHz
Descrição expandida Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
Descrição TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

Outras

Pacote padrão 5,000
Outros nomes UNR411H00ATB

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