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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RJL6013DPE-00#J3
RJL6013DPE-00#J3

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EXSHINE Modelo do Produto:EX-RJL6013DPE-00#J3
Fabricante Modelo do Produto:RJL6013DPE-00#J3
Fabricante / Marca:Renesas Electronics America
Descrição breve:MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:RJL6013DPE-00#J3
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 4-LDPAK
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 810 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 100W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SC-83
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 16 Weeks
Número de peça do fabricante RJL6013DPE-00#J3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 600V 11A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)

Outras

Pacote padrão 1,000

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Distribuidor de Renesas Electronics America

- A RF Digital fabrica uma extensa linha de Módulos Transmissores, Receptores e Transceptores RF sem fio configuráveis, adequados para quase todos os tipos de aplicações. Os módulos são totalmente integrados, de alta qualidade e baixo custo para beneficiar qualquer aplicação. A linha de produtos RFDuino oferece uma linha expansiva de módulos, incluindo sensor, USB, proto shields e outros para testar o Bluetooth Low Energy em um ambiente de protótipo plug and play.

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