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CSD19532KTT
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-CSD19532KTT |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | CSD19532KTT |
| Fabricante / Marca: | Texas Instruments |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | 1 |
| Download da Ficha Técnica: | CSD19532KTT |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
CSD19532KTT
Em estoque: 54390 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | DDPAK/TO-263-3 |
| Série | NexFET™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 250W (Tc) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 2 (1 Year) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 13 Weeks |
| Número de peça do fabricante | CSD19532KTT |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5060pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 6V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
| Descrição | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta) |
Outras
| Pacote padrão | 500 |
|---|---|
| Outros nomes | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
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CenárioMfg. Part NumberFabricantesDescrição breveFicha de dadosEm estoquePreço do itemPeça online -
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