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CSD25211W1015
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-CSD25211W1015 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | CSD25211W1015 |
| Fabricante / Marca: | Texas Instruments |
| Descrição breve: | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | 1 |
| Download da Ficha Técnica: | CSD25211W1015 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
CSD25211W1015
Em estoque: 80207000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | -6V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Série | NexFET™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | 1W (Ta) |
| Embalagem | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete | 6-UFBGA, DSBGA |
| Outros nomes | 296-36578-6 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 7 Weeks |
| Número de peça do fabricante | CSD25211W1015 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 2.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
| Descrição | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Outras
| Pacote padrão | 1 |
|---|---|
| Outros nomes | 296-36578-6 |
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