CSD87312Q3E

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CSD87312Q3E

EXSHINE Modelo do Produto:EX-CSD87312Q3E
Fabricante Modelo do Produto:CSD87312Q3E
Fabricante / Marca:Texas Instruments
Descrição breve:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Status sem chumbo / Status RoHS:Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-VSON (3.3x3.3)
Série NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 33 mOhm @ 7A , 8V
Power - Max 2.5W
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN
Outros nomes 296-35526-2
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 26 Weeks
Número de peça do fabricante CSD87312Q3E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica FET Logic Level Gate
Descrição expandida Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 27A

Outras

Pacote padrão 2,500
Outros nomes 296-35526-2

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