EXSHINE Modelo do Produto: | EX-SI5456DU-T1-GE3 |
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Fabricante Modelo do Produto: | SI5456DU-T1-GE3 |
Fabricante / Marca: | Vishay / Siliconix |
Descrição breve: | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | SI5456DU |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 10 mOhm @ 9.3A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 8-PowerVDFN |
Outros nomes | SI5456DU-T1-GE3TR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante | SI5456DU-T1-GE3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Descrição expandida | N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
Descrição | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Outros nomes | SI5456DU-T1-GE3TR |
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Pacote padrão | 3,000 |
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T / T (transferência bancária) Recebimento: 1-4 dias. |
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Paypal Recebendo: imediatamente. |
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Western Union Recebimento: 1-2 horas. |
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- O portfólio de produtos da Vishay é uma coleção inigualável de semicondutores discretos (diodos, MOSFETs e optoeletrônicos) e componentes passivos (resistores, indutores e capacitores). Esses componentes são usados em praticamente todos os tipos de dispositivos e equipamentos eletrônicos nos mercados industrial, de computação, automotivo, de consumo, de telecomunicações, militar, aeroespacial e médico. Vishay tem orgulho de ser um grande parceiro da exshinetech.com.