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APTM10UM02FAG

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APTM10UM02FAG
Fabricante Modelo do Produto:APTM10UM02FAG
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor SP6
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.5 mOhm @ 200A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1660W (Tc)
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete SP6
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 22 Weeks
Número de peça do fabricante APTM10UM02FAG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 1360nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 100V 570A 1660W (Tc) Chassis Mount SP6
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 570A

Outras

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