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APTM120A20DG
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-APTM120A20DG |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | APTM120A20DG |
| Fabricante / Marca: | Microsemi |
| Descrição breve: | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | APTM120A20DG |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
APTM120A20DG
Em estoque: 4062 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | SP6 |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 240 mOhm @ 25A, 10V |
| Power - Max | 1250W |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | SP6 |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 22 Weeks |
| Número de peça do fabricante | APTM120A20DG |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 600nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Descrição expandida | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 50A 1250W Chassis Mount SP6 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 50A |
Outras
| Pacote padrão | 1 |
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