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APTM120A65FT1G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-APTM120A65FT1G
Fabricante Modelo do Produto:APTM120A65FT1G
Fabricante / Marca:Microsemi
Descrição breve:MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:APTM120A65FT1GPower Products Catalog
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor SP1
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 780 mOhm @ 14A, 10V
Power - Max 390W
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete SP1
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 22 Weeks
Número de peça do fabricante APTM120A65FT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7736pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Standard
Descrição expandida Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrição MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A

Outras

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