DF11GZ-30DP-2V(20)

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DF11GZ-30DP-2V(20)

EXSHINE Modelo do Produto:EX-DF11GZ-30DP-2V(20)
Fabricante Modelo do Produto:DF11GZ-30DP-2V(20)
Fabricante / Marca:Hirose
Descrição breve:CONN HEADER 30POS 2MM SMD TIN
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:DF11 Series DatasheetDF11GZ-xDP-2V(20) DrawingDF11GZ-xDP-2V(20) Spec
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Parâmetro do produto

Regime de tensão 250V
terminação Solder
Estilo Board to Board or Cable
Shrouding Shrouded - 4 Wall
Série DF11
Espaçamento entre linhas - Acoplamento 0.079" (2.00mm)
Pitch - Mating 0.079" (2.00mm)
Embalagem Tube
Comprimento total do contato -
Outros nomes *DF11GZ-30DP-2V(20)
DF11GZ30DP2V20
H10272
Temperatura de operação -30°C ~ 85°C
Numero de linhas 2
Número de posições Loaded All
Número de posições 30
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Material de flamabilidade UL94 V-0
Acoplado Stacking Heights 8.2mm, 8.45mm, 9.55mm
Tempo de entrega padrão do fabricante 8 Weeks
Número de peça do fabricante DF11GZ-30DP-2V(20)
Diferencial de Transmissão de Dados Polyamide (PA), Nylon
Altura de isolamento 0.284" (7.20mm)
Cor de isolamento Beige
Proteção de entrada -
Características Board Guide, Solder Retention
Tipo de fixação Detent Lock
Descrição expandida 30 Positions Header Connector 0.079" (2.00mm) Surface Mount Tin
Descrição CONN HEADER 30POS 2MM SMD TIN
Potência nominal 2A
Tipo de Contato Male Pin
Forma do contato Circular
material de contato Brass
Comprimento do contato - Pós -
Comprimento do contato - Acoplamento -
Espessura de acabamento de contato - Pós -
Espessura de acabamento de contato - Acoplamento 39µin (1.00µm)
Concluir contato - Post Tin
Acabamento de contato - Acoplamento Tin
Tipo de conector Header
aplicações -

Outras

Outros nomes *DF11GZ-30DP-2V(20)

DF11GZ30DP2V20

H10272
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Distribuidor de Hirose Electric Co Ltd

- A Hittite Microwave Corporation foi adquirida pela Analog Devices em 2014. A Hittite foi fabricante de circuitos integrados, módulos, subsistemas e instrumentação de alto desempenho para aplicações de ondas de RF, micro-ondas e milimétricas.
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