RFN5B6STL

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RFN5B6STL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-RFN5B6STL
Fabricante Modelo do Produto:RFN5B6STL
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:DIODE GEN PURP 600V 5A CPD
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:RFN5B6S
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RFN5B6STL
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Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

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Múltiplos:1

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Parâmetro do produto

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.55V @ 5A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 600V
Embalagem do dispositivo fornecedor CPD
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 50ns
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de Operação - Junção 150°C (Max)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante RFN5B6STL
Descrição expandida Diode Standard 600V 5A Surface Mount CPD
Tipo Diode Standard
Descrição DIODE GEN PURP 600V 5A CPD
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io) 5A
Capacitância @ Vr, F -

Outras

Pacote padrão 2,500

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