RFN6BM2DTL

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RFN6BM2DTL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-RFN6BM2DTL
Fabricante Modelo do Produto:RFN6BM2DTL
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:1
Download da Ficha Técnica:RFN6BM2D
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RFN6BM2DTL
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Parâmetro do produto

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 980mV @ 3A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 200V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-252
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 25ns
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes RFN6BM2DTLTR
Temperatura de Operação - Junção 150°C (Max)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante RFN6BM2DTL
Descrição expandida Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo Diode Standard
configuração de diodo 1 Pair Common Cathode
Descrição DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252
Atual - dispersão reversa @ Vr 10µA @ 200V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode) 3A

Outras

Pacote padrão 2,500
Outros nomes RFN6BM2DTLTR

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